This page is in KOI-8 encoding
Установки вертикальных электрических зондирований.
Для получения кривых ВЭЗ используются различные установки, которые несколько
отличаются глубинностью, разрешающей способностью и методикой наблюдений.
Наиболее часто используются установки Шлюмберже, Веннера и дипольные установки,
среди которых можно выделить экваториальную (ДЭЗ) и осевую (ДОЗ) ( см.
рисунок). Кривые кажущегося сопротивления, полученные для одной модели
разными установками похожи, но полностью не совпадают. Исключением является
случай установок Шлюмберже и ДЭЗ, которые для горизонтально-слоистых разрезов
полностью совпадают.
Приведем формулы расчета коэффициента К для некоторых установок
электрических зондирований:
четырехэлектродная установка Шлюмберже - 
;
дипольная экваториальная установка (ДЭЗ) - 
;
дипольная осевая установка (ДОЗ) - 
.
Параметры эквивалентности S и T.
Как и в других методах геофизики, в ВЭЗ существует понятие эквивалентных
моделей. Кривые ВЭЗ для таких моделей различаются в пределах точности измерений.
Кажущееся сопротивление зависит от интегральных характеристик геоэлектрического
разреза, поэтому моделям со схожими интегральными характеристиками будут
соответствовать близкие кривые ВЭЗ. Такими характеристиками являются продольная
проводимость (S) и поперечное сопротивление (T), которые для
каждого слоя рассчитываются по следующим формулам:
S= h/
и T= h*
.
Эти параметры слоев определяются по кривым ВЭЗ более устойчиво, чем
сопротивление () и мощность
(h) слоя. Для каждого типа моделей устойчиво определяется только
один из параметров (S или T).
Если слой является низкоомным по отношению к нижележащему (промежуточный
слой в моделях типа H и A), то ток стремится течь вдоль напластования и
для этого слоя характерна S-эквивалентность. Для эквивалентных моделей
в этом случае выполняется условие h/
= const.
В моделях типа K и Q в промежуточном слое ток преимущественно течет
поперек слоя и для них характерна Т-эквивалентность. Отсюда условие
эквивалентности h*
= const.
Пределы области эквивалентности ограничены, т.к. не весь ток течет
в одном направлении. Они зависят от мощности и контрастности слоя. Но в
целом узкие области эквивалентности характерны для кривых типа H и Q, а
широкие - для K и A.
Для анализа эквивалентности используются специальные
программы (например IPI_Ekvi из пакета IPI).
Уменьшение глубинности из-за экранирующих слоев.
Возможности метода
сопротивлений (разрешающая способность и глубинность) во многом зависят
от особенностей изучаемого разреза. К неблагоприятным факторам относится
наличие в разрезе высокоомных экранирующих слоев, через которые электрический
ток не может проникнуть в нижележащие породы. Такие слои приводят к резкому
уменьшению глубинности метода.
На рисунке показана полевая кривая ВЭЗ полученная на Александровской
геофизической практике в 1996 г. (Калужская обл.) и ее интерпретация. Видно,
что шестой высокоомный слой, сложенный доломитами и гипсами, приводит к
резкому уменьшению глубинности. Анализ показывает, что в этом районе для
изучения кристаллического фундамента, залегающего на глубине 1.3 км, требуются
разносы более 30 км.
119899, Москва, МГУ, геологический ф-т, кафедра геофизики. А.А.
Бобачев
Тел. / факс: (095) 939 49 63
E-mail: boba@geophys.geol.msu.ru
Please feel free to send us
your comments.